應(yīng)用
- 光伏
- 半導(dǎo)體
- 汽車
- 顯示
技術(shù)
- ALD
- PVD
- CVD
- PECVD
應(yīng)用：
電極成膜/多層電極和同時(shí)成膜應(yīng)用
介電成膜、絕緣膜、鈍化、保護(hù)膜等。
用于電子元器件的研發(fā)和小規(guī)模生產(chǎn)
適用于Ti、Cu 、Al、Cr、Ni、Ag、Sn等單質(zhì)金屬，已廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體電子元器件。
采用負(fù)載鎖定型濺射技術(shù)，射頻、直流、HiPIMS高功率脈沖磁控濺射、脈沖偏壓等模塊化組合，進(jìn)出料室可使用五個(gè)基材托盤，自動(dòng)升降傳輸基材，提高生產(chǎn)率，支持多個(gè)陰極同時(shí)濺射，鍍制多層膜，自動(dòng)處理工藝并記錄數(shù)據(jù)。
廣泛應(yīng)用于電子元器件的研發(fā)和生產(chǎn)，在陶瓷、玻璃、金屬上鍍制金屬膜或電阻膜，實(shí)現(xiàn)通孔全覆蓋鍍膜，TGV深徑比高達(dá)15:1，TCV孔徑20um，深徑比20:1。
為您的先進(jìn)封裝定制專屬TGV 解決方案
專為先進(jìn)封裝中的導(dǎo)電通孔、絕緣層和種子層而設(shè)計(jì)
提高生產(chǎn)效率的同時(shí)降低您的生產(chǎn)成本
支持更小尺寸和多層膜設(shè)計(jì)，加速技術(shù)升級
可靠加熱控制系統(tǒng)
成熟的磁控濺射技術(shù)
| 陰極 | 平面磁控管陰極/旋轉(zhuǎn)圓柱陰極 |
| 電源 | DC/DC脈沖/MF/RF |
| 托盤尺寸 | L510xW515(可定制化) |
| 抽氣系統(tǒng) | 進(jìn)出料室:粗抽料室:粗抽泵+分子泵 鍍膜室:分子泵/低溫泵 |
| 加熱系統(tǒng) | 最高400°C |
| 均勻度 | 士1.2% |
| 保壓 | <0.1Pa |
| PVD銅厚度 | Max.10um |
| 極限壓力 | 3.0x10-5?Pa |
| 抽空時(shí)間 | 3min內(nèi)直至2.0 * 10-2?Pa |
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