應(yīng)用
- 光伏
- 半導(dǎo)體
- 汽車
- 顯示
技術(shù)
- ALD
- PVD
- CVD
- PECVD
這款A(yù)LD設(shè)備是一款專為TGV（玻璃通孔）和TSV（硅通孔）等先進(jìn)封裝技術(shù)設(shè)計(jì)的高性能鍍膜設(shè)備。
它能夠在玻璃或硅基板上精確沉積鈦、銅和氧化鋁等功能層，形成高質(zhì)量的絕緣層和種子層，滿足先進(jìn)封裝對(duì)可靠性和微結(jié)構(gòu)精度的嚴(yán)格要求。
根據(jù)您的先進(jìn)封裝需求定制的ALD 解決方案
專為先進(jìn)封裝中的導(dǎo)電通孔、絕緣層和種子層而設(shè)計(jì)
精確控制和高度均勻性有助于減少缺陷并改善先進(jìn)封裝創(chuàng)新和生產(chǎn)
支持更小尺寸、更多層級(jí)的先進(jìn)封裝設(shè)計(jì)，助力技術(shù)迭代
原子層控制以滿足微米和納米級(jí)沉積需求
高密度、高保形涂層，實(shí)現(xiàn)均勻、可靠的覆蓋
| 基片尺寸 | 50~300mm | 200x200mm | φ300x400mm |
| 前驅(qū)體 | 可配置不同的前驅(qū)體 | ||
| 典型工藝 | Al2O3, TiO2, SiO2, Ta2O5, HfO2, TiN, AIN, etc | ||
| 抽真空時(shí)間 | 8.0×10-2Pa≤25分鐘 | ||
| 沉積溫度 | 50~400C | ||
| 沉積速率 | 8 s/cycle | ||
| 均勻性 | ±1% | ||
| 選配臭氧源/等離子體源 | |||
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