原子層沉積（ALD）技術
原子層沉積是一種能以外延生長方式在基體表面逐層形成單原子薄膜的先進技術，可在復雜三維形貌的基體表面構建全覆蓋薄膜。
該技術與常規(guī)化學氣相沉積原理相近，但其特殊性在于：每一層新生原子膜層的化學反應都直接與上一層表面結構精確關聯，這種自限制反應機制確保了每個周期僅能沉積單原子層厚度。
技術特性與應用
在原子層沉積工藝過程中，不同的反應前驅體以氣體脈沖形式交替送入反應腔室。這種獨特的運作機制使其具備自限制生長特性，可實現膜層厚度的精確控制。所制備的薄膜不僅厚度均勻、一致性優(yōu)異，更具備極高的臺階覆蓋能力，特別適用于深槽結構內的薄膜生長，在多維結構表面實現精準成膜的需求中具有不可替代的應用價值。
由于ALD設備能夠實現高深寬比結構、極窄溝槽開口的完美臺階覆蓋以及精準的膜厚控制，該技術已成為制造先進邏輯芯片、DRAM和3D NAND等具有復雜結構及精密膜厚要求產品的核心裝備之一。
應用領域
?高介電常數材料（功率器件、射頻器件）
?抗反射涂層（光學涂層、LED與光子學、AR/VR 光學）
?防潮與封裝（電子器件、先進封裝、珠寶首飾）
?表面鈍化（功率器件、LED與光子學、射頻器件）
?化學阻擋層（電池、半導體零件涂層、射頻器件、MEMS）
