高真空環(huán)境對電阻蒸發(fā)工藝至關(guān)重要，其主要原因有二：

1. 實現(xiàn)分子直線傳輸
   當(dāng)氣體從腔室中排出后，蒸汽分子在與氣體分子發(fā)生碰撞前能夠?qū)崿F(xiàn)更長距離的運動。蒸發(fā)過程中若與氣體分子碰撞會改變材料蒸汽的運動方向，從而影響基片鍍膜的均勻性。當(dāng)氣體壓力低于10??托時，蒸汽分子與氣體分子碰撞前的平均自由程大于1米——通常超過腔體尺寸。這意味著分子將從蒸發(fā)源到基片保持直線運動，使電阻蒸發(fā)具有高度定向性。這一特性對于微納加工系統(tǒng)中的剝離工藝至關(guān)重要。

2. 保障薄膜純度
   腔室內(nèi)的殘留氣體會導(dǎo)致生長中的薄膜受到污染。特別是氧氣和水分的存在：在有機發(fā)光器件和有機光伏器件等應(yīng)用中，任何微量水分或氧氣都會導(dǎo)致負責(zé)發(fā)光或吸光的功能活性物質(zhì)猝滅。通過將這類氣體的分壓抽至10??托范圍以下，可顯著提升蒸發(fā)薄膜及其相關(guān)器件的純度。

技術(shù)特點總結(jié)

• 定向沉積實現(xiàn)精準(zhǔn)鍍膜

• 真空環(huán)境確保薄膜純凈度

• 適用于對氧化敏感的活性材料

• 滿足微納制造對精度的嚴苛要求

應(yīng)用領(lǐng)域

? 裝飾鍍膜
為珠寶、手表外殼、汽車裝飾件等產(chǎn)品鍍上金、鉻、鎳等金屬薄膜，提供美觀且耐用的表面效果。

? 電極與互連
在集成電路和芯片制造中，通過熱蒸發(fā)沉積高純度的鋁、金、銀等金屬，形成精密的電極和金屬互連線。

? 薄膜器件
用于制備薄膜晶體管、金屬-絕緣體-金屬電容等器件的金屬化層。

? 電極制備
在有機發(fā)光二極管和有機光伏器件的活性有機層上，熱蒸發(fā)是沉積鋁、銀、鈣等金屬頂電極的關(guān)鍵工藝，能有效避免溶液法對底層功能層的損傷。

? 納米材料
通過精確控制蒸發(fā)參數(shù)，可在特定基底上制備金屬納米顆粒或超薄薄膜，用于催化、傳感等前沿研究。