等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積（PECVD）技術(shù)

在等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積技術(shù)中，等離子體有效促進(jìn)了化學(xué)反應(yīng)過(guò)程。借助等離子體的活化作用，工藝溫度可降至200-500℃區(qū)間內(nèi)實(shí)現(xiàn)高質(zhì)量薄膜制備，顯著降低了基體的熱負(fù)載壓力。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)路徑
▌短程等離子體法
將等離子體激發(fā)區(qū)域設(shè)置在基片附近。但該方式存在的輻射與離子轟擊效應(yīng)，可能對(duì)半導(dǎo)體硅片等敏感基材造成損傷。

▌遠(yuǎn)程等離子體法
通過(guò)空間隔離設(shè)計(jì)，在等離子體與基片之間建立物理屏障。該方案既能有效保護(hù)基片，又可選擇性激活混合工藝氣體中的特定組分。需要注意的是，為確?；罨Ｗ拥诌_(dá)基片表面時(shí)仍能有效引發(fā)化學(xué)反應(yīng)，必須對(duì)工藝參數(shù)進(jìn)行精密調(diào)控。