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HIPIMS技術(shù)

HIPIMS技術(shù)

高功率脈沖磁控濺射(HiPIMS)技術(shù)

HiPIMS是一種在傳統(tǒng)磁控濺射基礎(chǔ)上發(fā)展的先進(jìn)技術(shù)。傳統(tǒng)磁控濺射通過在靶材附近產(chǎn)生高密度等離子體,實(shí)現(xiàn)了超越傳統(tǒng)二極濺射的沉積速率。雖然增加陰極功率可進(jìn)一步提升等離子體密度,但由此產(chǎn)生的熱量積聚問題阻礙了其實(shí)際應(yīng)用。

HiPIMS技術(shù)通過向陰極施加一系列短促而強(qiáng)烈的脈沖解決了這一難題。在脈沖期間,數(shù)千瓦至兆瓦級(jí)的峰值功率可產(chǎn)生極端稠密的等離子體。為規(guī)避過熱問題,這些脈沖以極低的占空比發(fā)射,使熱量和平均工作功率始終維持在可控水平。

HIPIMS

電離物理氣相沉積特性
HiPIMS等離子體能使濺射原子實(shí)現(xiàn)高度電離。當(dāng)電離原子比例超過中性粒子時(shí),該過程即稱為電離物理氣相沉積。電離沉積流具有多重優(yōu)勢(shì):增強(qiáng)反應(yīng)活性、提高薄膜致密性與硬度,并能實(shí)現(xiàn)高深寬比結(jié)構(gòu)的完美臺(tái)階覆蓋與共形沉積。

反應(yīng)濺射工藝突破
HiPIMS賦予的高能量為反應(yīng)濺射創(chuàng)造了新可能:濺射材料離子攜帶足夠動(dòng)能,可與通入腔室的氮?dú)?氧氣等反應(yīng)氣體直接化合。傳統(tǒng)制備氮化物/氧化物的反應(yīng)工藝常需高溫環(huán)境提供反應(yīng)能量,這會(huì)降低產(chǎn)效且與某些基材/工藝不兼容。而HiPIMS產(chǎn)生的稠密電離流無需高溫即可完成反應(yīng),顯著提升生產(chǎn)效率并拓寬工藝適應(yīng)性。

增強(qiáng)型HiPIMS薄膜技術(shù)
通過多種技術(shù)手段可調(diào)控電離羽流的運(yùn)動(dòng)方向:

  • 在基片表面生成RF等離子體會(huì)形成負(fù)偏壓,吸引并加速電離的靶材離子,獲得超致密硬化薄膜

  • 若無基片RF偏壓,可采用陰極正脈沖偏壓通過”推動(dòng)”模式加速離子流向基片(常稱為”雙極”HiPIMS)

應(yīng)用領(lǐng)域

?切削工具
為鉆頭、銑刀等涂覆TiN、TiAlN、CrN等納米結(jié)構(gòu)涂層,顯著提高硬度、耐磨性和耐高溫氧化性能。

?成型模具與精密部件
應(yīng)用于注塑模具、沖壓模具及軸承、傳動(dòng)部件表面,減少摩擦磨損,抵抗塑性變形。

?精密光學(xué)薄膜
制備高質(zhì)量的保護(hù)膜、介電膜層,具有低吸收、低散射損失的特點(diǎn),適用于激光光學(xué)、高端鏡頭。

?透明導(dǎo)電膜
沉積ITO等薄膜,在獲得高導(dǎo)電性的同時(shí),具備更優(yōu)的均勻性和附著強(qiáng)度,用于顯示觸控面板。

?航空航天與汽車
在發(fā)動(dòng)機(jī)部件、渦輪葉片上沉積耐高溫腐蝕和氧化的屏障層。

?醫(yī)療與生物植入
為手術(shù)器械和人體植入物(如關(guān)節(jié)、骨釘)提供生物相容性極佳且耐體液腐蝕的氧化鋯、氮化鈦等涂層。

?超導(dǎo)薄膜
用于沉積NbN等低溫超導(dǎo)薄膜,應(yīng)用于量子計(jì)算和超導(dǎo)探測(cè)器。

?固態(tài)電池
制備致密的固態(tài)電解質(zhì)隔膜或電極保護(hù)層,抑制枝晶生長(zhǎng),提升電池安全性與循環(huán)壽命。

?三維結(jié)構(gòu)鍍膜
為MEMS器件、3D NAND存儲(chǔ)器的深孔、溝槽結(jié)構(gòu)提供無孔洞、均勻的阻擋層或種子層。

?新型材料探索
研發(fā)非晶金剛石、高熵合金等新型納米復(fù)合涂層的有力工具。

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